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Journal of Semiconductors

Journal of Semiconductors

CSCD核心期刊
  • 主管單位:中國科學(xué)院
  • 主辦單位:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國電子學(xué)會(huì)
  • 審稿時(shí)間:1-3個(gè)月
  • 國內(nèi)刊號:11-5781/TN
  • 國際刊號:1674-4926
  • 創(chuàng)刊:1980
  • 周期:月刊
  • 語言:中文
  • 郵發(fā):2-184
  • 出版地:北京
  • 快捷分類:電力
  • 影響因子:0.36
  • 級別:CSCD核心期刊,
CA 化學(xué)文摘(美),CSCD 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊(含擴(kuò)展版),EI 工程索引(美),JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日),Pж(AJ) 文摘雜志(俄),SA 科學(xué)文摘(英),萬方收錄(中),上海圖書館館藏,劍橋科學(xué)文摘,國家圖書館館藏,文摘與引文數(shù)據(jù)庫,文摘雜志,知網(wǎng)收錄(中),維普收錄(中),
CA 化學(xué)文摘(美),CSCD 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊(含擴(kuò)展版),EI 工程索引(美),JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日),Pж(AJ) 文摘雜志(俄),SA 科學(xué)文摘(英),萬方收錄(中),上海圖書館館藏,劍橋科學(xué)文摘,國家圖書館館藏,文摘與引文數(shù)據(jù)庫,文摘雜志,知網(wǎng)收錄(中),維普收錄(中),全國優(yōu)秀科技期刊,

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期刊收錄: 不限 SCI SCIE

Journal of Semiconductors簡介 Magazine introduction
  • Journal of Semiconductors簡介

    《Journal of Semiconductors》1980年創(chuàng)刊。現(xiàn)為月刊,每期190頁左右,國內(nèi)外公開發(fā)行。每期均有英文目次,每篇中文論文均有英文摘要。主編為王守武院士。主要讀者對象是從事半導(dǎo)體科學(xué)研究、技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)及相關(guān)學(xué)科的科技人員、管理人員和大專院校的師生。

    《Journal of Semiconductors》報(bào)道半導(dǎo)體物理學(xué)、半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和相關(guān)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進(jìn)展,內(nèi)容包括半導(dǎo)體超晶格和微結(jié)構(gòu)物理,半導(dǎo)體材料物理,包括量子點(diǎn)和量子線等材料在內(nèi)的新型半導(dǎo)體材料的生長及性質(zhì)測試,半導(dǎo)體器件物理,新型半導(dǎo)體器件,集成電路的CAD設(shè)計(jì)和研制,新工藝,半導(dǎo)體光電子器件和光電集成,與半導(dǎo)體器件相關(guān)的薄膜生長工藝,性質(zhì)和應(yīng)用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同,是以半導(dǎo)體和相關(guān)材料為中心的,從物理,材料,器件到應(yīng)用的,從研究到技術(shù)開發(fā)的,跨越物理和信息兩個(gè)學(xué)科的綜合性學(xué)術(shù)刊物,發(fā)表中、英文稿件。

  • Journal of Semiconductors收錄

    CA 化學(xué)文摘(美),CSCD 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊(含擴(kuò)展版),EI 工程索引(美),JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日),Pж(AJ) 文摘雜志(俄),SA 科學(xué)文摘(英),萬方收錄(中),上海圖書館館藏,劍橋科學(xué)文摘,國家圖書館館藏,文摘與引文數(shù)據(jù)庫,文摘雜志,知網(wǎng)收錄(中),維普收錄(中),

  • Journal of Semiconductors欄目設(shè)置

    研究快報(bào)、研究論文、研究簡報(bào)、技術(shù)進(jìn)展

  • Journal of Semiconductors影響因子

    0.36
  • 問題解答

Journal of Semiconductors稿件要求 Magazine requirements

Journal of Semiconductors稿件須知

1、稿件應(yīng)觀點(diǎn)明確,數(shù)據(jù)可靠,言簡意賅,重點(diǎn)突出。與本文內(nèi)容類似或密切相關(guān)的已發(fā)表論文,應(yīng)列入?yún)⒖嘉墨I(xiàn),以示尊重,并避免重復(fù)。通欄排版,單面間行打印。中文文章需含英文的題目、作者、作者單位、摘要和關(guān)鍵詞;英文文章需含中文的題目、作者、作者單位、摘要和關(guān)鍵詞。

2、題目、作者、單位和摘要:題目應(yīng)簡潔、準(zhǔn)確,不宜太長,中文題目不宜超過20個(gè)字,外文題目不宜超過10個(gè)實(shí)詞。文章的作者署名在投稿時(shí)應(yīng)明確,以后不宜更改。作者單位需寫出全稱、所在城市和郵政編碼。摘要應(yīng)語義確切,表述簡明,宜用第三人稱寫明論文的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。

3、中英文關(guān)鍵詞、PACC、EEACC或CCACC:應(yīng)給出反映文章特征內(nèi)容,通用性比較強(qiáng)的中英文對應(yīng)關(guān)鍵詞3~6個(gè);PACC、EEACC或CCACC專業(yè)代碼1~3個(gè)。

4、基金及批準(zhǔn)號:若文章得到省、部級以上基金資助,應(yīng)給出基金的中、英文全稱及批準(zhǔn)號。

5、縮略詞、符號及計(jì)量單位:摘要和正文中的縮略詞在第一次出現(xiàn)時(shí)都必須寫出全稱。外文字母、符號必須分清大小寫,正、斜體,上、下角,容易混淆的字母、符號等在第一次出現(xiàn)時(shí),請用鉛筆注明。計(jì)量單位請用國家法定計(jì)量單位,全文文種要始終一致。

6、圖、表、照片:圖和照片按出現(xiàn)先后順序編號,圖的整個(gè)寬度以70mm或140mm規(guī)格為宜,圖框宜細(xì),刻度向里,曲線略粗,墨色要黑,線條要?jiǎng),圖中文字應(yīng)與正文完全一致。照片要求黑白反差大,層次清晰,不接受彩色圖和彩色照片。表格應(yīng)簡潔、明確,宜用三線表。

7、參考文獻(xiàn):參考文獻(xiàn)按在正文中出現(xiàn)的順序編號,用方括號括住置引文處右上角,并與文末參考文獻(xiàn)序碼對應(yīng)一致。請勿引用尚未公開發(fā)表的資料。中文參考文獻(xiàn)需附相應(yīng)的英譯。參考文獻(xiàn)格式著錄項(xiàng)目應(yīng)齊全。

期刊的格式為:作者(列前三名).題目.刊名,年份,卷(期):頁碼

8、評審:來稿將送有關(guān)專家審閱。中文稿需3個(gè)月、英文稿需2個(gè)月左右才能收到修改意見和初步錄用意見。作者在收到修改意見后,在3周內(nèi)須將修改稿和軟盤(可用Email稿代替)寄回編輯部。延期返回的稿件將被更改收文日期;超過3個(gè)月未返回修改稿作撤稿處理?桥c否由編委會(huì)最后審定。不擬刊登之稿,會(huì)盡快函告作者。

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